SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSIRA28bdp
Obudowa: PPAK-SO8
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 38A; 17W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 12mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 38A |
| Maksymalna tracona moc: | 17W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 12mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 38A |
| Maksymalna tracona moc: | 17W |
| Obudowa: | PPAK-SO8 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |