SISS52DN-T1-GE3

Symbol Micros: TSISS52DN-T1-GE3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PPAK1212
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 47,1A
Maksymalna tracona moc: 4,8W
Obudowa: PPAK1212-8S
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 1,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 47,1A
Maksymalna tracona moc: 4,8W
Obudowa: PPAK1212-8S
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD