SISS71DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Symbol Micros: TSISS71dn
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PPAK1212
MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 82mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,7A
Maksymalna tracona moc: 4,8W
Obudowa: PPAK1212-8S
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SISS71DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9092
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: SISS71DN-T1-GE3 Obudowa dokładna: PPAK1212  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,9550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 82mOhm
Maksymalny prąd drenu: 6,7A
Maksymalna tracona moc: 4,8W
Obudowa: PPAK1212-8S
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD