SIZ240DT-T1-GE3
Symbol Micros:
TSIZ240dt
Obudowa: POWERPAIR08(3.3x3.3)
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 13mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 48A |
| Maksymalna tracona moc: | 33W |
| Obudowa: | POWERPAIR08(3.3x3.3) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SIZ240DT-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna: POWERPAIR08(3.3x3.3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,7900 | 6,1800 | 5,5900 | 5,2800 | 5,1900 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SIZ240DT-T1-GE3
Obudowa dokładna: POWERPAIR08(3.3x3.3)
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,1900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 13mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 48A |
| Maksymalna tracona moc: | 33W |
| Obudowa: | POWERPAIR08(3.3x3.3) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |