SKM100GB12T4

Symbol Micros: TSKM100gb12t4
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: Rys.SKM100
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 300A; 5,0~6,5V; 565nC; -40°C~175°C;
Parametry
Ładunek bramki: 565nC
Maksymalny prąd kolektora: 100A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 300A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: Rys.SKM100
Producent: SEMIKRON
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Producent: SEMIKRON Symbol producenta: SKM100GB12T4 RoHS Obudowa dokładna: Rys.SKM100 karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 1+ 2+ 5+ 10+ 20+
cena netto (PLN) 262,8000 241,1000 220,4000 209,1000 200,6000
Sposób pakowania:
1
Ładunek bramki: 565nC
Maksymalny prąd kolektora: 100A
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 300A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 5,0V ~ 6,5V
Obudowa: Rys.SKM100
Producent: SEMIKRON
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie bramka-emiter: 20V
Typ tranzystora: IGBT