SMBTA06UPNE6327 Infineon

Symbol Micros: TSMBTA06upn
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-74
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN/PNP; 100; 330mW; 80V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SMBTA06UPNE6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: 330mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SC-74
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: Infineon Symbol producenta: SMBTA06UPNE6327HTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SC-74 karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8730 0,4430 0,2680 0,2130 0,1940
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 330mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SC-74
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta