SMBTA92E6327 INFINEON

Symbol Micros: TSMBTA92
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 40; 360mW; 300V; 500mA; 50MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: SMBTA92E6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: 360mW
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Producent: Infineon Symbol producenta: SMBTA92E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
4700 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2241
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: SMBTA92E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1955
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: SMBTA92E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1917
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 360mW
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 300V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP