SMP5116

Symbol Micros: TSMP5116
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Transistor JFET 50mA, -40V P-Channel; vDS -15V; Vgs 30V; Gate-Source 4V;
Parametry
Maksymalny prąd drenu: -25mA
Obudowa: SOT23
Producent: InterFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: -15V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Montaż: SMD
Producent: INTERFET Symbol producenta: SMP5116 RoHS Obudowa dokładna: SOT23 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 110+
cena netto (PLN) 13,5100 12,0200 11,1200 10,6700 10,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
110
Maksymalny prąd drenu: -25mA
Obudowa: SOT23
Producent: InterFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: -15V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta