SMUN5311DW1T1G
Symbol Micros:
TSMUN5311dw1
Obudowa: SOT363
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 SMUN5311DW1T3G SMUN5311DW1T2G
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT363-6 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: SMUN5311DW1T3G
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1785 |
Producent: ON-Semiconductor
Symbol producenta: SMUN5311DW1T1G
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
33000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1360 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT363-6 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |