SMUN5313DW1T1G
Symbol Micros:
TSMUN5313dw1
Obudowa: SOT363
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SOT-363 SMUN5313DW1T3G
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT363-6 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 200mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 300mW |
| Obudowa: | SOT363-6 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |