SPA07N60C3
Symbol Micros:
TSPA07n60c3
Obudowa: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA07N60C3XKSA1
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 32W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | Infineon |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA07N60C3XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,1400 | 5,6900 | 4,8700 | 4,3800 | 4,2000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA07N60C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
104 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2000 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA07N60C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
4890 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,2000 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 32W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | Infineon |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |