SPA08N80C3XKSA1

Symbol Micros: TSPA08n80c3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA08N80C3XKSA1; SPA08N80C3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 650mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8A
Maksymalna tracona moc: 40W
Obudowa: TO220FP
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: SPA08N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
642 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,7409
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: SPA08N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
3286 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,8263
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: SPA08N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6734
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 650mOhm
Maksymalny prąd drenu: 8A
Maksymalna tracona moc: 40W
Obudowa: TO220FP
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT