SPA08N80C3XKSA1
Symbol Micros:
TSPA08n80c3
Obudowa: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA08N80C3XKSA1; SPA08N80C3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 650mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 8A |
Maksymalna tracona moc: | 40W |
Obudowa: | TO220FP |
Producent: | INFINEON |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA08N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
642 szt.
ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 4,7409 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA08N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
3286 szt.
ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,8263 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA08N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
11000 szt.
ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,6734 |
Rezystancja otwartego kanału: | 650mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 8A |
Maksymalna tracona moc: | 40W |
Obudowa: | TO220FP |
Producent: | INFINEON |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |