SPA17N80C3 INF

Symbol Micros: TSPA17n80c3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220FP
N-MOSFET 17A 800V SPA17N80C3XKSA1
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 290mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO220FP
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: SPA17N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP  
Magazyn zewnętrzny:
450 szt.
ilość szt. 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 6,4782
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: SPA17N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP  
Magazyn zewnętrzny:
284 szt.
ilość szt. 1+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 9,3520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: SPA17N80C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP  
Magazyn zewnętrzny:
3822 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 6,7286
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 290mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 42W
Obudowa: TO220FP
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT