SPA17N80C3 INF
Symbol Micros:
TSPA17n80c3
Obudowa: TO220FP
N-MOSFET 17A 800V SPA17N80C3XKSA1
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 290mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA17N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
243 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,5825 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA17N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
3351 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,8889 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA17N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220FP
Magazyn zewnetrzny:
6522 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,6321 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 290mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 17A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |