SPA20N60C3
Symbol Micros:
TSPA20n60c3
Obudowa: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA20N60C3XKSA1
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 34,5W |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,7A |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA20N60C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnętrzny:
650 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,0617 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPA20N60C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnętrzny:
3270 szt.
| ilość szt. | 100+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,5397 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalna tracona moc: | 34,5W |
| Maksymalny prąd drenu: | 20,7A |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | INFINEON |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |