SPB07N60C3

Symbol Micros: TSPB07n60c3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK SPB07N60C3ATMA1
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 450mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,7A
Maksymalna tracona moc: 83W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 450mOhm
Maksymalny prąd drenu: 7,7A
Maksymalna tracona moc: 83W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD