SPD02N80C3
Symbol Micros:
TSPD02n80c3
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 6,5Ohm; 2A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPD02N80C3ATMA1; SPD02N80C3BTMA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPD02N80C3ATMA1
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4836 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPD02N80C3ATMA1
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5451 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 6,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 42W |
| Obudowa: | TO252 (DPACK) |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |