SPD04N80C3

Symbol Micros: TSPD04n80c3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
N-MOSFET 4A 800V 63W 1.3Ω SPD04N80C3ATMA1
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 63W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: SPD04N80C3ATMA1 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2347
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 63W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD