SPP08N80C3
Symbol Micros:
TSPP08N80C3
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 1,5Ohm; 8A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP02N80C3XKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP08N80C3 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,7400 | 6,4900 | 5,7700 | 5,3300 | 5,1600 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP08N80C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
1082 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,1600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 104W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |