SPP24N60C3
Symbol Micros:
TSPP24n60c3
Obudowa: TO220
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 340mOhm; 24,3A; 240W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP24N60C3XKSA1;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 340mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 24,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 240W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP24N60C3 RoHS
Obudowa dokładna: TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 13,7200 | 12,2400 | 11,3500 | 10,7700 | 10,5500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP24N60C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
190 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,5500 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: SPP24N60C3XKSA1
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
526 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 10,5500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 340mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 24,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 240W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |