SPW17N80C3

Symbol Micros: TSPW17n80c3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPW17N80C3FKSA1; SPW17N80C3XK; SPW17N80C3FKSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 670mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 227W
Obudowa: TO 3P
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: SPW17N80C3FKSA1 Obudowa dokładna: TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
44 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 10,6898
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 670mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 227W
Obudowa: TO 3P
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 800V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT