SPW32N50C3

Symbol Micros: TSPW32n50c3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 560V; 20V; 270mOhm; 32A; 284W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPW32N50C3FKSA1;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 284W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 560V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: SPW32N50C3 RoHS Obudowa dokładna: TO247  
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
cena netto (PLN) 54,6800 47,0300 42,1600 40,3900 38,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 270mOhm
Maksymalny prąd drenu: 32A
Maksymalna tracona moc: 284W
Obudowa: TO247
Producent: Infineon Technologies
Maksymalne napięcie dren-źródło: 560V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT