SQ2318AES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSQ2318aes
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 36mOhm; 8A; 3W; -55°C ~ 175°C; SQ2318AES-T1_GE3 VSIG;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |