SQ2389ES-T1_GE3
Symbol Micros:
TSQ2389es
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-MOSFET; 40V; 20V; 188mOhm; 4,1A; 3W; -55°C ~ 175°C; SQ2389ES-T1_GE3
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 188mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,1A |
Maksymalna tracona moc: | 3W |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 188mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,1A |
Maksymalna tracona moc: | 3W |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | VISHAY |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 40V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |