SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Symbol Micros:
TSQ2398es
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 1,6A; 2W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,6A |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |