SQ3427AEEV-T1 GE3
Symbol Micros:
TSQ3427aeev
Obudowa: TSOP06
P-MOSFET 60V 95mOhm SQ3427AEEV-T1_BE3;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 95mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | -5,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | TSOP6 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | -60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -10V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 95mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | -5,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 500mW |
| Obudowa: | TSOP6 |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | -60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | -10V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |