SQJ141ELP-T1_GE3

Symbol Micros: TSQJ141ELP
Symbol Kontrahenta:
Obudowa:  
Automotive P-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: -15A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: -40V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: -10V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 15mOhm
Maksymalny prąd drenu: -15A
Maksymalna tracona moc: 2,5W
Obudowa: SOP08
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: -40V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: -10V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD