SQJ476EP-T1-GE3

Symbol Micros: TSQJ476ep
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PPAK-SO8
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAKSO
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 23A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: PPAK-SO8
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 23A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: PPAK-SO8
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT