SQJ476EP-T1-GE3

Symbol Micros: TSQJ476ep
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PPAK-SO8
Trans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAKSO
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 23A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: PPAK-SO8
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SQJ476EP-T1_GE3 Obudowa dokładna: PPAK-SO8  
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3339
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 23A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: PPAK-SO8
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: THT