SQJ560EP

Symbol Micros: TSQJ560ep
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PPAK
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 16mOhm/75,5mOhm; 30A/-18A; 34W; -55°C ~ 175°C; SQJ560EP-T1_GE3
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 16mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 34W
Obudowa: PowerPAK SO-8
Producent: Siliconix
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Producent: Siliconix Symbol producenta: SQJ560EP-T1_GE3 RoHS Obudowa dokładna: PPAK karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 6,7800 5,0300 4,4000 4,0900 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 16mOhm
Maksymalny prąd drenu: 30A
Maksymalna tracona moc: 34W
Obudowa: PowerPAK SO-8
Producent: Siliconix
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: N/P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta