SS8550
Symbol Micros:
TSS8550 c
Obudowa: SOT23
Transistor PNP; Bipolar; 350mW; -25V; 1500mA; 120MHz; -55°C ~ 150°C; MOSLEADER SS8550-ML; SS8550-D; SS8550-L-YAN;
Parametry
| Moc strat: | 350mW |
| Producent: | HOTTECH |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 120MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | -25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: MIC
Symbol producenta: SS8550 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2160 | 0,0808 | 0,0433 | 0,0323 | 0,0298 |
Producent: HOTTECH
Symbol producenta: SS8550 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2160 | 0,0808 | 0,0433 | 0,0323 | 0,0298 |
Producent: FUXINSEMI
Symbol producenta: SS8550 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
599 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2160 | 0,0808 | 0,0433 | 0,0323 | 0,0298 |
| Moc strat: | 350mW |
| Producent: | HOTTECH |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 120MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | -25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |