SSM3J135TU,LF

Symbol Micros: TSSM3J135TU,LF
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: UFM-3
SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 260mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: UFM-3
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 260mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 500mW
Obudowa: UFM-3
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD