SSMJ356R,LF(T
Symbol Micros:
TSSM3j356r
Obudowa: SOT23-3
Trans MOSFET P-CH 60V 2A Automotive 3-Pin SOT-23F
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 72mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6A |
Maksymalna tracona moc: | 1W |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | TOSHIBA |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: SSM3J356R,LF(T
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,2649 |
Rezystancja otwartego kanału: | 72mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 6A |
Maksymalna tracona moc: | 1W |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | TOSHIBA |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |