SSW60R190S2 SUPER SEMICONDUCTOR
Symbol Micros:
TSSW60r190s2
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 190mOhm; 20A; 150W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | SUPER SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 150W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | SUPER SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |