STB16NF06L

Symbol Micros: TSTB16NF06L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STB16NF06LT4;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 16A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: ST Symbol producenta: STB16NF06LT4 RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4300 2,1700 1,7100 1,5600 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Producent: ST Symbol producenta: STB16NF06LT4 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STB16NF06LT4 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 16A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD