STB60NF06
Symbol Micros:
TSTB60NF06
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 16mOhm; 60A; 110W; -65°C ~ 175°C; Odpowiednik: STB60NF06T4;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 60A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 60A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 175°C |
Montaż: | SMD |