STB6N80K5 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTB6N80K5
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,6Ohm; 4,5A; 85W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 85W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Producent: ST
Symbol producenta: STB6N80K5
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
90000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6296 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB6N80K5
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,6535 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 85W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |