STB6NK90ZT4
Symbol Micros:
TSTB6NK90zt4
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Producent: ST
Symbol producenta: STB6NK90ZT4 RoHS
Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 8,3900 | 6,6600 | 6,0200 | 5,6900 | 5,5900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB6NK90ZT4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,5900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB6NK90ZT4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnetrzny:
38000 szt.
ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 5,5900 |
Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 5,8A |
Maksymalna tracona moc: | 140W |
Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 900V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |