STB80NF10
Symbol Micros:
TSTB80NF10
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STB80NF10T4;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 15mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: ST
Symbol producenta: STB80NF10T4 RoHS
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,7800 | 5,0300 | 4,4000 | 4,0900 | 3,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STB80NF10T4
Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)
Magazyn zewnętrzny:
75 szt.
| ilość szt. | 5+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 15mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 80A |
| Maksymalna tracona moc: | 300W |
| Obudowa: | TO263 (D2PAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |