STD12NF06L

Symbol Micros: TSTD12nf06l
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 100mOhm; 12A; 42,8W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD12NF06LT4;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 42,8W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: TECH PUBLIC Symbol producenta: STD12NF06LT4 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r  
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,2500 1,3500 1,0300 0,9300 0,8980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: ST Symbol producenta: STD12NF06LT4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
10000 szt.
ilość szt. 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,2718
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STD12NF06LT4 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK)  
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt.
ilość szt. 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 1,3711
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 100mOhm
Maksymalny prąd drenu: 12A
Maksymalna tracona moc: 42,8W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD