STD12NF06L-1 STMicroelectronics
Symbol Micros:
TSTD12NF06L-1
Obudowa: IPAK
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 16V; 100mOhm; 12A; 30W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 12A |
Maksymalna tracona moc: | 30W |
Obudowa: | IPAK |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STD12NF06L-1
Obudowa dokładna: IPAK
Magazyn zewnetrzny:
5550 szt.
ilość szt. | 825+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6318 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD12NF06L-1
Obudowa dokładna: IPAK
Magazyn zewnetrzny:
3155 szt.
ilość szt. | 825+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6196 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD12NF06L-1
Obudowa dokładna: IPAK
Magazyn zewnetrzny:
730950 szt.
ilość szt. | 825+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,6015 |
Rezystancja otwartego kanału: | 100mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 12A |
Maksymalna tracona moc: | 30W |
Obudowa: | IPAK |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 16V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |