STD17NF03L

Symbol Micros: TSTD17NF03L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 16V; 60mOhm; 17A; 30W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD17NF03LT4;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 30V
Producent: ST Symbol producenta: STD17NF03LT4 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9800 1,1000 0,8650 0,8160 0,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Producent: ST Symbol producenta: STD17NF03LT4 Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnętrzny:
12500 szt.
ilość szt. 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 60mOhm
Maksymalny prąd drenu: 17A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 16V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD