STD20NF06LT4

Symbol Micros: TSTD20NF06L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 18V; 50mOhm; 24A; 60W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 24A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: DPAK
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STD20NF06LT4 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,7700 2,3900 1,8900 1,7200 1,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 50mOhm
Maksymalny prąd drenu: 24A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: DPAK
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 18V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD