STD20NF20

Symbol Micros: TSTD20NF20
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 125mOhm; 18A; 110W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: DPAK
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STD20NF20 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 12,1700 10,4700 9,4700 8,9800 8,6900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 18A
Maksymalna tracona moc: 110W
Obudowa: DPAK
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 200V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD