STD25NF10 DPAK

Symbol Micros: TSTD25nf10
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 20V; 38mOhm; 25A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STD25NF10T4;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 38mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 100W
Obudowa: DPAK
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 100V
Producent: ST Symbol producenta: STD25NF10T4 Obudowa dokładna: DPAK  
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4471
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STD25NF10T4 Obudowa dokładna: DPAK  
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2509
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STD25NF10T4 Obudowa dokładna: DPAK  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2953
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-09-04
Ilość szt.: 190
Rezystancja otwartego kanału: 38mOhm
Maksymalny prąd drenu: 25A
Maksymalna tracona moc: 100W
Obudowa: DPAK
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 100V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD