STD30N10F7  STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTD30N10F7

180970

TSTD30N10F7

Symbol Kontrahenta:

Obudowa: DPAK-3

karta katalogowa

rys. techniczny Dodaj do ulubionych

Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	24mOhm
Maksymalny prąd drenu:	32A
Maksymalna tracona moc:	50W
Obudowa:	DPAK-3
Producent:	ST
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V

Wszystkie parametry

         

 

Dodaj zapytanie

Pozycja dostępna na zamówienie

• Parametry

Rezystancja otwartego kanału:	24mOhm
Maksymalny prąd drenu:	32A
Maksymalna tracona moc:	50W
Obudowa:	DPAK-3
Producent:	ST
Maksymalne napięcie dren-źródło:	100V
Maksymalne napięcie bramka-źródło:	20V
Typ tranzystora:	N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres):	-55°C ~ 175°C
Montaż:	SMD

Edytuj Symbol

Usuń powiązane z Symbolem Kontrahenta

Symbol Micros

Czy na pewno chcesz usunąć Twoje symbole? Twój symbol Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Usuń Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Dodaj symbol

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta Zapisz

Podana nazwa jest zajeta

Symbol zawiera niedozwolone znaki lub jest zbyt krótki. Symbol może składać się z dużych i małych liter, spacji, znaków specjalnych: "-", "/", "." i musi mieć co najmniej 3 znaki.