STD35P6LLF6
Symbol Micros:
TSTD35p6llf6
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 36mOhm; 35A; 70W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 36mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 35A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |