STD3NK50Z-1
Symbol Micros:
TSTD3NK50z-1
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 3,3Ohm; 2,3A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Producent: ST
Symbol producenta: STD3NK50Z-1 RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 3+ | 15+ | 75+ | 300+ | 1500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9200 | 1,1300 | 0,8620 | 0,7760 | 0,7380 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD3NK50Z-1
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 750+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,7380 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 3,3Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |