STD3NK80Z-1
Symbol Micros:
TSTD3NK80z1
Obudowa: IPAK
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | IPAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
Producent: ST
Symbol producenta: STD3NK80Z-1 RoHS
Obudowa dokładna: IPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
141 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 75+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,1200 | 2,7300 | 2,2500 | 2,0500 | 1,9600 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD3NK80Z-1
Obudowa dokładna: IPAK
Magazyn zewnetrzny:
19905 szt.
| ilość szt. | 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9600 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD3NK80Z-1
Obudowa dokładna: IPAK
Magazyn zewnetrzny:
8850 szt.
| ilość szt. | 450+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9600 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 70W |
| Obudowa: | IPAK |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |