STD7NM60N
Symbol Micros:
TSTD7NM60N
Obudowa: TO252 (DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Producent: ST
Symbol producenta: STD7NM60N RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3000 | 3,7100 | 3,1500 | 2,8800 | 2,7900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD7NM60N RoHS
Obudowa dokładna: TO252 (DPAK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,3000 | 3,7100 | 3,1500 | 2,8800 | 2,7900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STD7NM60N
Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 900mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 5A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |