STF19NM50N

Symbol Micros: TSTF19NM50N
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 500V 14A
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 250mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220FP
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STF19NM50N Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,2325
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STF19NM50N Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
5195 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3532
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 250mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220FP
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT