STF19NM50N
Symbol Micros:
TSTF19NM50N
Obudowa: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 500V 14A
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 250mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STF19NM50N
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2325 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF19NM50N
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
5195 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,3532 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 250mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 14A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220FP |
| Producent: | ST |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |