STF19NM50N

Symbol Micros: TSTF19NM50N
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 500V 14A
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 250mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220FP
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 250mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 30W
Obudowa: TO220FP
Producent: ST
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT