STF3NK80Z
Symbol Micros:
TSTF3nk80z
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STF3NK80Z RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,3100 | 3,1600 | 2,5300 | 2,1700 | 2,0500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF3NK80Z
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
2721 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STF3NK80Z
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
7450 szt.
| ilość szt. | 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 25W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |